SK海力士近日披露，受全球AI算力需求激增的推动，公司将在2026年前将整体DRAM产能扩大至当前的八倍以上，以满足云服务提供商、NVIDIA、AMD等大型客户对高带宽内存的迫切需求。该计划的核心在于将位于韩国利川的1c DRAM工厂月产能从约2万片提升至14万片，随后在其他生产基地同步扩容，形成规模化的产能提升。

　　AI模型从训练阶段向推理阶段转变，使得对通用DRAM(尤其是GDDR7和SOCAMM2)的需求出现爆发式增长。相比于需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM在功耗、成本和产能效率上更具优势，能够更快速响应AI推理工作负载的带宽与能效需求。因此，SK海力士将产能重点从HBM转向先进的1c DRAM，以抢占AI内存市场的先机。

　　公司预计，2025年下半年至2026年初的产能扩张将主要用于满足英伟达等客户对GDDR7图形内存的大批量订单。SOCAMM2作为低功耗的系统级内存，同样被视为AI服务器的关键组件，预计将在2026年前实现大规模供货。与此同时，SK海力士已与多家AI芯片厂商签署供货协议，确保新增产能能够快速转化为实际出货。

　　在资本投入方面，SK海力士计划在2025至2026年间投入超过30万亿韩元用于新产线建设和工艺升级。该笔巨额投资显示公司对“AI内存超级周期”的信心，并预期在2026年实现DRAM月产能突破50万片，约占全球DRAM总产能的三分之一以上。此举也将进一步巩固其在全球高带宽内存市场的领先地位。

　　尽管DRAM整体供给趋紧，AI驱动的需求仍在持续放大。行业分析师指出，AI推理对内存的高带宽、低功耗和成本效益的综合要求，使得通用DRAM的需求增速有望与HBM持平，甚至在部分细分市场实现超越。因此，SK海力士的产能扩张被视为对市场供需失衡的直接回应，也为行业提供了重要的供给缓冲。

　　从市场表现来看，SK海力士在2025年第三季度的财报显示，HBM产品已被“抢购一空”，DRAM和NAND的产能预订已延伸至2026年，进一步验证了公司对AI内存需求的乐观预期。与此同时，竞争对手三星也在同步推进产能提升计划，双方的激烈竞争将推动整体DRAM价格在短期内保持高位。

　　在技术层面，SK海力士通过提升1c DRAM的良率至80%以上，确保高产能下的产品质量和良品率。该工艺主要用于制造DDR5、LPDDR以及最新的GDDR7等产品，能够满足从移动终端到数据中心的多元化需求。公司还计划在2026年前完成10纳米DRAM的全线投产，以进一步提升制程竞争力。

　　行业观察人士认为，AI算力的快速迭代将持续拉动高性能内存的需求，尤其是大模型推理阶段对带宽与能效的双重要求。SK海力士的产能扩张不仅是对当前需求的响应，更是对未来AI算力增长的前瞻布局。若AI应用继续保持高速增长，预计该公司的产能利用率将在2026年达到90%以上。

　　总体来看，SK海力士的“8倍产能暴增”计划是对AI内存需求的强力回应，也是全球存储器产业格局重塑的重要一步。随着AI技术的深入渗透，DRAM市场将进入一个新的增长周期，SK海力士凭借提前布局的产能和技术优势，有望在未来数年内占据更大市场份额，并为全球AI算力提供坚实的存储支撑。